NexperiaGAN041-650WSBQMOSFETs

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Transistores de efecto de campo (FET) de potencia de nitruro de galio (GaN) de 2a generación (H2)

Transistores de efecto de campo (FET) de alta potencia, eficientes y efectivos

El nuevo GAN041-650WSB extiende el repertorio del nitruro de Nexperia. El FET brinda mejorías en cuanto a rendimiento y la eficiencia de calidad 80 Plus Titanium que responde a las nuevas exigencias de suministro de servidor de la UE.

Características destacadas:

    • Carga inversa ultra baja
    • Control de compuerta simple (de 0 V a + de 10 V o 12 V)
    • Óxido de compuerta robusta (capacidad de ±20 V)
    • Alta tensión de límite de compuerta (+4 V) para una inmunidad de rebote de compuerta alta
    • Tensión de drenaje-manantial muy baja en modo conductor inverso
    • Capacidad de sobretensión transitoria

Aplicaciones:

    • Convertidores de conmutación (soft/hard)
    • PFC polos-tótem sin puente
    • Convertidores PV y UPS
    • Controles de servomotor

Recursos:

Folleto:

    •  Nexperia GaN FETs - Performance, efficiency, reliability

Libros blancos:

    • Power GaN technology: the need for efficient power conversion
    • 650 V GaN FET technology delivers the best efficiency, and the robustness
      needed for AEC-Q101 qualification

Instrucciones de uso:

    • Understanding Power GaN FET data sheet parameters
    • Circuit design and PCB layout recommendations for GaN FET half bridges
    • Probing considerations for fast switching applications
    • Power GaN technology: the need for efficient power conversion

Hoja de datos:

    • An insight into Nexperia Power GaN technology – Applications, quality, reliability and scalability

Vídeos:

    • Nexperia GaN FETs
    • Moving from silicon to GaN: Design considerations - Quick Learning
    • How to read a GaN FET datasheet - Quick Learning
    • Cascode Vs E-Mode: which to use in your Power GaN FET? - Quick Learning
    • Benefits of using power GaN FETs in Solar inverters – Quick Learning
    • Using GaN FETs in 80 plus titanium power supply units – Quick Learning

268 piezas: Se puede enviar en 2 días

    Total$8.17Price for 1

    • Se puede enviar en 2 días

      Ships from:
      Países Bajos
      Date Code:
      2123+
      Manufacturer Lead Time:
      0 semanas
      • In Stock: 268 piezas
      • Price: $8.1692

    Contrarreste eficazmente amenazas de drones

    Descubra cómo combinar procesamiento inteligente, detección avanzada y respuesta rápida en un sistema de defensa unificado contra los drones.