NexperiaGAN041-650WSBQMOSFETs
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Transistores de efecto de campo (FET) de potencia de nitruro de galio (GaN) de 2a generación (H2)
Transistores de efecto de campo (FET) de alta potencia, eficientes y efectivos
El nuevo GAN041-650WSB extiende el repertorio del nitruro de Nexperia. El FET brinda mejorías en cuanto a rendimiento y la eficiencia de calidad 80 Plus Titanium que responde a las nuevas exigencias de suministro de servidor de la UE.
Características destacadas:
• Carga inversa ultra baja
• Control de compuerta simple (de 0 V a + de 10 V o 12 V)
• Óxido de compuerta robusta (capacidad de ±20 V)
• Alta tensión de límite de compuerta (+4 V) para una inmunidad de rebote de compuerta alta
• Tensión de drenaje-manantial muy baja en modo conductor inverso
• Capacidad de sobretensión transitoria
Aplicaciones:
• Convertidores de conmutación (soft/hard)
• PFC polos-tótem sin puente
• Convertidores PV y UPS
• Controles de servomotor
Recursos:
Folleto:
• Nexperia GaN FETs - Performance, efficiency, reliability
Libros blancos:
• Power GaN technology: the need for efficient power conversion
• 650 V GaN FET technology delivers the best efficiency, and the robustness
needed for AEC-Q101 qualification
Instrucciones de uso:
• Understanding Power GaN FET data sheet parameters
• Circuit design and PCB layout recommendations for GaN FET half bridges
• Probing considerations for fast switching applications
• Power GaN technology: the need for efficient power conversion
Hoja de datos:
• An insight into Nexperia Power GaN technology – Applications, quality, reliability and scalability
Vídeos:
• Nexperia GaN FETs
• Moving from silicon to GaN: Design considerations - Quick Learning
• How to read a GaN FET datasheet - Quick Learning
• Cascode Vs E-Mode: which to use in your Power GaN FET? - Quick Learning
• Benefits of using power GaN FETs in Solar inverters – Quick Learning
• Using GaN FETs in 80 plus titanium power supply units – Quick Learning
| Compliant with Exemption | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.55 | |
| SVHC | Yes |
| Índice de SEP por encima del límite autorizado | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| GaN | |
| Single | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 650 | |
| 20 | |
| -55 to 175 | |
| 47.2 | |
| 41@10V | |
| 22@10V | |
| 1500@400V | |
| 187000 | |
| 17 | |
| 14 | |
| 36 | |
| 14 | |
| -55 | |
| 175 | |
| Tube | |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 21.08(Max) |
| Package Width | 5.16(Max) |
| Package Length | 16.03(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-247 |
| 3 |
| EDA / CAD Models |
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